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IXTY08N100D2 N Canale MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Supporto di superficie TO-252AA

Name: IXTY08N100D2 N Canale MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Supporto di superficie TO-252AA
Brand: Shenzhen Swift Automation Technology Co., Ltd.
SKU: IXTY08N100D2
Price: 8,250.00 USD
Availability: InStock

Brand Name:	Original
Model Number:	IXTY08N100D2
MOQ:	1
prezzo:	negotiable
Delivery Time:	3-4 giorni
Payment Terms:	TT

Detail Information

Product Description

Detail Information

Luogo di origine:

Originale

Certificazione:

Original

Tipo di FET:

Canale N

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

1000 V

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

21 Ohm @ 400mA, 0V

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (Max):

± 20V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Caratteristica del FET:

Modalità di esaurimento

Imballaggi particolari:

scatola di cartone

Capacità di alimentazione:

100

Evidenziare:

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 N canale MOSFET IC

TO-252AA N canale MOSFET IC

Product Description

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA

IXTY08N100D2 sono daInventario di fabbrica, per favore controlla le tue richieste e contattaci con il prezzo target.

Specificità di IXTY08N100D2

Tipo	Descrizione
Categoria	Prodotti di semiconduttori discreti
	Transistori
	FET, MOSFET
	FET singoli, MOSFET
Mfr	IXYS
Serie	Esorbitamento
Pacco	Tubo
Status del prodotto	Attivo
Tipo di FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)	1000 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)	± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 25 V
Caratteristica FET	Modalità di esaurimento
Dissipazione di potenza (Max)	60 W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore	TO-252AA
Confezione / Cassa	TO-252-3, DPAK (2 Lead + Tab), SC-63
Numero del prodotto di base	IXTY08

Caratteristiche delIXTY08N100D2

• Normalmente in modalità ACCESSO
•Pacchi standard internazionali
• Le epoxi per lo stampaggio soddisfano i requisiti UL94V-0Classificazione dell'inflamabilità

Applicazioni diIXTY08N100D2

• Amplificatori audio
• Circuiti di avvio
• Circuiti di protezione
• Generatori di rampe
• I regolatori attuali
• Carichi attivi

Vantaggi diIXTY08N100D2

• Facile da montare
• Risparmio di spazio
• Alta densità di energia

Classificazioni ambientali e di esportazioneIXTY08N100D2

Attributo	Descrizione
Status RoHS	Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL)	1 (illimitato)
Status REACH	REACH non interessato
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

IXTY08N100D2 N Canale MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Supporto di superficie TO-252AA 0

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Chip del circuito integrato

IXTY08N100D2 N Canale MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Supporto di superficie TO-252AA

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IXTY08N100D2 N Canale MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Supporto di superficie TO-252AA

Brand Name:	Original
Model Number:	IXTY08N100D2
MOQ:	1
prezzo:	negotiable
Packaging Details:	scatola di cartone
Payment Terms:	TT

Detail Information

Product Description

Detail Information

Luogo di origine:

Originale

Marca:

Original

Certificazione:

Original

Numero di modello:

IXTY08N100D2

Tipo di FET:

Canale N

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

1000 V

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

21 Ohm @ 400mA, 0V

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (Max):

± 20V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Caratteristica del FET:

Modalità di esaurimento

Quantità di ordine minimo:

Prezzo:

negotiable

Imballaggi particolari:

scatola di cartone

Tempi di consegna:

3-4 giorni

Termini di pagamento:

Capacità di alimentazione:

100

Evidenziare:

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 N canale MOSFET IC

TO-252AA N canale MOSFET IC

Product Description

Tipo	Descrizione
Categoria	Prodotti di semiconduttori discreti
	Transistori
	FET, MOSFET
	FET singoli, MOSFET
Mfr	IXYS
Serie	Esorbitamento
Pacco	Tubo
Status del prodotto	Attivo
Tipo di FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)	1000 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)	± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 25 V
Caratteristica FET	Modalità di esaurimento
Dissipazione di potenza (Max)	60 W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore	TO-252AA
Confezione / Cassa	TO-252-3, DPAK (2 Lead + Tab), SC-63
Numero del prodotto di base	IXTY08

Attributo	Descrizione
Status RoHS	Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL)	1 (illimitato)
Status REACH	REACH non interessato
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

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strumento automatico della fascetta ferma-cavo

Strumento del legame dello zip

Macchina di nylon della fascetta ferma-cavo

strumento del legame di cavo

Macchina di plastica del legame

Fascette ferma-cavo in serie

Fascette ferma-cavo della striscia

fascette ferma-cavo di nylon

Macchina robot della fascetta ferma-cavo di Full Auto

Sistema automatico della fascetta ferma-cavo

Bobina automatica della fascetta ferma-cavo

Macchina automatica della fascetta ferma-cavo

Rockwell Controllogix

Chip del circuito integrato

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IXTY08N100D2

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