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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I Field Programmable Gate Array FPGA IC 79 65536 1280

LCMXO2-1200UHC-4FTG256I Field programmabile gate array FPGA IC 79 65536 1280

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    Gate array programmabile FPGA IC del campo

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    LCMXO2-1200UHC-4FTG256I

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    LCMXO2-1200UHC-4FTG256I fpga IC

  • Numero di LAB/CLB
    160
  • Numero di elementi logici/cellule
    1280
  • Bits totali di RAM
    75776
  • Numero di I/O
    206
  • Voltaggio - Fornitura
    2.375V ~ 3.465V
  • Temperatura di funzionamento
    -40°C ~ 100°C (TJ)
  • Confezione / Cassa
    256-LBGA
  • Luogo di origine
    Originale
  • Marca
    Original
  • Certificazione
    Original
  • Numero di modello
    LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
  • Quantità di ordine minimo
    1
  • Prezzo
    Negotiation
  • Imballaggi particolari
    Cartone
  • Tempi di consegna
    3-4 giorni
  • Termini di pagamento
    TT
  • Capacità di alimentazione
    100

LCMXO2-1200UHC-4FTG256I Field programmabile gate array FPGA IC 79 65536 1280

LCMXO2-1200UHC-4FTG256I Field Programmable Gate Array (FPGA) IC 79 65536 1280

 
Sono tutti nuovi e originali, per favore, comunicateci il numero e la quantità delle parti.

Specificità di LCMXO2-1200UHC-4FTG256I

 

TIPO Descrizione
Categoria Circuiti integrati (CI)
  Incorporato
  FPGA (Field Programmable Gate Array)
Mfr Lattice Semiconductor Corporation
Serie MachXO2
Imballaggio Scaffale
Numero di LAB/CLB 160
Numero di elementi logici/cellule 1280
Bits totali di RAM 75776
Numero di I/O 206
Voltaggio - Fornitura 2.375V ~ 3.465V
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 100°C (TJ)
Confezione / Cassa 256-LBGA
Confezione del dispositivo del fornitore 256-FTBGA (17x17)
Numero del prodotto di base LCMXO2-1200

 

Caratteristiche delLCMXO2-1200UHC-4FTG256I

 

 

Amministratore:
• Memoria flash utente su chip
• Memoria flash utente fino a 256 kbits
• 100.000 cicli di scrittura
• Accessibile tramite interfacce WISHBONE, SPI, I2C e JTAG
• Può essere utilizzato come PROM del soft processor o come memoria flash
• Sorgente sincrono di I/O pre-progettato
• Registri DDR nelle celle I/O
• Logica di ingranaggi dedicata
• 7:1 Impostazione per I/O di visualizzazione
• DDR generico, DDRX2, DDRX4
• Memoria DDR/DDR2/LPDDR dedicata con supporto DQS
• Buffer di I/O flessibile e ad alte prestazioni
• Il buffer programmabile sysIOTM supporta una vasta gamma di interfacce:
¢ LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
¢ LVTTL
¢ PCI
LVDS, bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
¢ SSTL 25/18
HSTL 18
Input di scatto Schmitt, fino a 0,5 V di isteresi
• I/O supportano la presa a caldo
• Terminazione differenziale su chip
• Modalità programmabile di ripresa o di ripresa
• Clocking flessibile sul chip
• Otto orologi primari
• Fino a due orologi a bordo per interfacce I/O ad alta velocità (solo lato superiore e inferiore)
• Fino a due PLL analogici per dispositivo con sintesi a frequenza frazionaria n
L'intervallo di frequenza di ingresso è ampio (7 MHz a 400 MHz)
• Non volatile, infinitamente riconfigurabile
• Attivazione istantanea
• Soluzione sicura e a chip unico
• Programmabile tramite JTAG, SPI o I2C
• Supporta la programmazione in background della memoria non volatile
• Opzionale doppio avvio con memoria SPI esterna
• Riconfigurazione TransFRTM
• Aggiornamento della logica in campo durante il funzionamento del sistema

 

 

 

Applicazioni diLCMXO2-1200UHC-4FTG256I


I dispositivi MachXO2 sono progettati su un processo non volatile a bassa potenza a 65 nm.L'architettura del dispositivo ha diverse caratteristiche quali I/O differenziali a basso oscillato programmabili e la possibilità di disattivare le banche di I/O, PLL on-chip e oscillatori dinamicamente.

 

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneLCMXO2-1200UHC-4FTG256I
 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 ore)
Status REACH REACH non interessato
ECCN 3A991D
HTSUS 8542.39.0001

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